IPD30N10S3L-34_热门型号_深圳市鑫创华科技有限公司

商品详细

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 30 A

Rds On-漏源导通电阻: 25.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 31 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 57 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

系列: OptiMOS-T

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 6.22 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 3 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

工厂包装数量: 2500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 18 ns

典型接通延迟时间: 6 ns

零件号别名: SP000261248 IPD3N1S3L34XT IPD30N10S3L34ATMA1

单位重量: 330 mg

常见问题

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